霍尔效应仪器采用最先进的模块和组件设计而成。所有数值读数均采用数字显示。电磁铁、高斯计、电源等均设计并制作为独立模块，以便学生轻松理解仪器及其原理。仪器设计时充分考虑了安全性。

该系统由两个料仓组成，每个料仓都配有“p”和“n”掺杂的锗晶体。料仓可以轻松安全地插入 D连接器系统。霍尔效应装置提供样品的所有操作参数，并显示霍尔电压、样品电流以及样品温度。掺杂锗样品用于测量霍尔电压与样品电流、磁通密度和样品温度的关系。

霍尔电压是由磁场中移动的电荷载体因洛伦兹力而偏转引起的，其方向可以通过右手定则预测。霍尔系数的符号由电荷载体的极性决定：负号表示载体带负电荷（“正常霍尔效应”），正号表示载体带正电荷（“异常霍尔效应”）。霍尔系数取决于材料和温度。

可做实验
霍尔电压的测量作为以下参数函数
载流子密度和迁移率的测定
半导体晶体霍尔系数的测定