塞曼效应模型编号：HO-ED-S-04B 专为分析横向和纵向塞曼分裂而设计。与横向模式塞曼效应相比，我们在这里可以观察到没有中心线的正常纵向双态分裂，而不是横向三重态分裂。这种全新的集成设计有助于学生理解原子和分子物理的经典行为。

我们之前已经在HO-ED-S-04型号中讨论过横向塞曼效应。光源低压汞灯发出不同频率的突出线。光线穿过电磁铁的一极；其中最突出的绿线被热镜（红色滤光片）和绿色干涉滤光片过滤。对应于546nm的光线穿过Fabry-perot标准具并相互干涉，然后由变焦镜头聚焦到CMOS相机。并且可以通过USB 2.0接口在PC上进行监控。在滤光片和fabry perot装置之间引入偏振器，以可视化正常和反常的塞曼效应。

专用软件可控制和监控实时条纹图案，可捕捉条纹图案进行测量分析。在fabry perot标准具模块中，一面镜子固定，另一面镜子使用艾伦钥匙旋钮微调装置平行。镜子采用铝涂层，并涂有 MgF 保护涂层。

实验示例

本实验由两部分组成：

对塞曼效应进行定性观察，包括

1. 观察正常横向塞曼效应的线三重态。
2. 观察纵向塞曼位移。
3. 观察塞曼线上的偏振效应

对正常塞曼效应进行定量测量，包括：

1. 确定标准具的间距。
2. 验证磁矩常数波尔磁子 (μ)。
3. 利用塞曼效应分析普朗克常数 (h) 和光速 (c)。
4. 校准磁场。

在磁场中，谱线分裂称为塞曼效应。将汞放电管置于电磁铁的极片之间，使管子垂直于极片。放置塞曼效应装置，使其收集来自电磁铁中心部分的光。通过USB集线器将相机连接到PC。调整变焦镜头以获得清晰的条纹，如下所示。